1. Refinació de matèries primeres: El primer pas en la fabricació de canyes de silici és convertir la sorra natural de quars en alt - de puresa de silici policristal·lí. Aquest procés normalment converteix la sorra de quars en silici editat a alta temperatura, reaccionant -la amb un agent reductor i, a continuació, millora la puresa mitjançant mètodes de purificació metal·lúrgica.
2. Creixement de cristall únic de silici: el mètode més utilitzat per al cultiu de cristalls simples de silici és el procés Czochralski. En aquest procés, el silici policristal·lí purificat es fon, s’insereix una fina barra de llavors de silici de cristall únic al silici fos, i després es gira lentament i s’enfila en condicions de temperatura controlades amb precisió, de manera que el cristall de silici fos creixi al llarg de la barra de llavors per formar un sol silicó de silici.
3. Doping controlat: Durant el creixement de cristalls simples de silici, es poden afegir dopants específics (com el fòsfor o el bor) per ajustar la conductivitat de la vareta de silici. El procés de dopatge ha de ser controlat amb precisió per garantir que les propietats conductores de la vareta de silici compleixin els requisits dels dispositius electrònics.
5. TALLEDA I POLIS: Les varetes de silici cultivades es tallaran a les hòsties de la mida requerida i després es poliran per garantir que la superfície sigui plana i suau per satisfer els requisits dels processos de fabricació de semiconductors posteriors.
5. Inspecció de qualitat: Finalment, cada canya de silici experimentarà estrictes proves de control de qualitat, incloses l’estructura de cristall, la puresa, la uniformitat de dopatge i altres indicadors per assegurar -se que cada canya de silici compleix els alts estàndards de fabricació de semiconductors.